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PMMA、AZ1350 LB膜应用于电子束刻蚀的研究
【机构】 东南大学生物科学与医学工程系； 南京电子器件研究所理化分析室；
【摘要】 <正>1前言超薄抗蚀层及其刻蚀技术自本世纪70年代提出以来,从基础科学研究、工业技术等诸多方面已引起越来越广泛的兴趣。法国的A.Barraud等人70年代末率先报导了他们采用w-二十三碳烯酸制备的LB负性抗蚀层,用电子束刻蚀获得了0.06μm的线宽,引起了很大的反响。美、英、日本等国家立即认识到其重要性,随后亦纷纷致力于攻关,80年代,相继发表了他们的研究成果。1988年,Stanford大学电子工程系Peace教授领导的研究小组用
- 【会议录名称】 首届中国功能材料及其应用学术会议论文集
- 【会议名称】首届中国功能材料及其应用学术会议
- 【会议时间】1992-10-26
- 【会议地点】中国广西桂林
- 【分类号】TB383.2
- 【主办单位】中国仪器仪表学会仪表材料学会、八六三计划新材料领域功能材料专家组、中国材料研究学会（CMRS）、中国电子学会电子材料学学会、中国金属学会材料科学学会、中国物理学会发光分会、中国光学学会光学材料专业委员会、机电部重庆仪表材料研究所、《功能材料》编辑部