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SI—GaAs中砷沉淀与微观均匀性的关系
【作者】 刘明焦； 曹福年； 白玉珂； 惠峰； 吴让元； 卜俊鹏； 何宏家；
【机构】 中国科学院半导体研究所；
【摘要】 <正>1前言GaAs超高速集成电路,微波单片集成电路和光电集成是以直接离子注入工艺在SI—Ga As晶片上进行的,因此需要高度完整和均匀的半绝缘砷化镓材料。随着集成度的提高,目前国际上已经对SI—GaAs的微观完整性和均匀性提出越来越高的要求。近年来人们非常重视对SI—GaAs中砷沉淀的研究,SI—GaAs中砷沉淀与其微观均匀性有着密切的关系。为了提高SI—GaAs的质量,满足我国集成电路对优质SI—GaAs的需要。我们开展SI—GaAs中砷沉淀与微观均匀性关系的研究。
- 【会议录名称】 首届中国功能材料及其应用学术会议论文集
- 【会议名称】首届中国功能材料及其应用学术会议
- 【会议时间】1992-10-26
- 【会议地点】中国广西桂林
- 【分类号】TN304
- 【主办单位】中国仪器仪表学会仪表材料学会、八六三计划新材料领域功能材料专家组、中国材料研究学会（CMRS）、中国电子学会电子材料学学会、中国金属学会材料科学学会、中国物理学会发光分会、中国光学学会光学材料专业委员会、机电部重庆仪表材料研究所、《功能材料》编辑部