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工艺参数和热处理温度对ZrW2O8薄膜制备的影响
【机构】 江苏大学材料科学与工程学院；
【摘要】 采用 WO3和 ZrO2复合陶瓷靶材,以射频磁控溅射法在石英基片上沉积制备了 ZrW2O8薄膜。利用 X 射线衍射仪（XRD）、原子力显微镜（AFM）、扫描电子显微镜（SEM）和电子能谱仪（EDS）研究了不同工艺参数和不同热处理温度对 ZrW2O8薄膜的相组成和表面形貌的影响,采用表面粗糙轮廓仪测量薄膜厚度,并研究了不同工艺参数对薄膜沉积速率的影响。采用高温 X 射线衍射和 Power X 软件研究薄膜的负热膨胀特性。试验结果表明：随着溅射功率的增加,薄膜沉积速率增加,薄膜表面变得粗糙,而随着工作气压的增加,薄膜沉积速率先增加后减小；磁控溅射沉积制备的薄膜为非晶态,表面平滑、致密,随着热处里温度的升高,薄膜开始结晶且膜层颗粒增大,在740℃热处理3min 后得到膜层颗粒呈短棒状的三方相的 ZrW2O8薄膜,在1200℃密闭热处理3min 后淬火得到膜层颗粒呈球状的立方相ZrW2O8薄膜且具有良好的负热膨胀特性,在15-700℃负热膨胀系数为-10．08×10-6K-1。
【基金】 国家自然科学基金项目(50372027);江苏省高校自然科学重大基础研究项目(06KJA43010)。
- 【会议录名称】 TFC’07全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集
- 【会议名称】TFC’07全国薄膜技术学术研讨会
- 【会议时间】2007-08
- 【会议地点】中国甘肃兰州
- 【分类号】TB383.2
- 【主办单位】中国真空学会薄膜专业委员会、中国航天科技集团公司五一○研究所、表面工程技术国家级重点实验室