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窄禁带掺杂碲镉汞外延薄膜的调制光谱分析
【作者】 邵军； 越方禹； 吕翔； 马丽丽； 李志锋； 陆卫； 褚君浩； 吴俊； 何力； 查访星；
【机构】 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室； 中国科学院上海技术物理研究所半导体材料器件研究中心； 上海大学物理系；
【摘要】 <正>碲镉汞(Hg1-xCdxTe)是制备大规模高性能红外探测器焦平面阵列的重要材料。窄禁带掺杂碲镉汞由于其在中、远红外波段(3～5μm和8～12μm)的重要应用,显得格外引人注目[1]。利用光谱手段研究掺杂对材料光电特性的影响,既有物理意义,也有重要工程价值。光致发光
【基金】 国家自然科学基金(60676063);上海市科委基础研究重点项目(06JCl4072);中科院重大科研装备研制项目的支持
- 【会议录名称】 第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集
- 【会议名称】第十六届全国半导体物理学术会议
- 【会议时间】2007-09
- 【会议地点】中国甘肃兰州
- 【分类号】O484.41
- 【主办单位】兰州大学、中国物理学会半导体物理专业委员会、中国科学院半导体研究所