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自旋极化电子从铁磁金属通过肖特基势垒注入半导体时自旋极化的研究
【机构】 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室；
【摘要】 <正>有效地的自旋极化注入是构造自旋电子器件的关键,目前,主要是以磁性半导体和铁磁金属作为自旋极化的注入源,而绝大部分磁性半导体的居里温度都低于室温,因此室温下主要是以铁磁金属(FM) 作为注入源,但由于直接从 FM 向非磁性半导体(NS)进行自旋注入的效率很低,因此如何高效率的从铁磁金属(FM)向非磁性半导体进行自旋注入一直是人们关注的焦点。利用隧穿模型和漂移扩散模型对自旋极化电子从铁磁金属通过肖特基势垒注入半导体时自旋极化率与势垒区宽度以及所加偏压的关系进
- 【会议录名称】 第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集
- 【会议名称】第十六届全国半导体物理学术会议
- 【会议时间】2007-09
- 【会议地点】中国甘肃兰州
- 【分类号】O472.5
- 【主办单位】兰州大学、中国物理学会半导体物理专业委员会、中国科学院半导体研究所