GaN基量子限制结构上转换荧光光谱

【作者】 熊贵光； J.Leymarie； A.Vasson； L.Siozade；

【机构】 武汉大学暂理系； LASMEA-CNRS University 0f Blaise．Pascal F．63177,Frallce；

【摘要】 <正>由于宽禁带 GaN 基半导体激光器在水下通信以及光信息高密度高分辨率存贮中具有极为重要的应用,多年来 GaN 基材料及其激光器件的研究一直受到各国科学家的高度重视．尽管1999年1月 InGaN 紫光/蓝光边发射激光器已成为商品,但由于其阀值电流密度高于传统的半导体激光器,且阈值电流还随激射波长急剧增长,因此,其材料及激射机理相关的问题今仍需深入研究．更多还原