低温生长垂直场多量子阱光折变器件的工作特性研究

【作者】 陆沅； 张治国； 张燕锋； 李春勇； 黄绮； 付盘铭； 陈宏智； 吕兰斌； 汤浚维；

【机构】 清华大学现代应用物理系； 中国科学院物理研究所光物理实验室、凝聚态中心； 北京大学电子学系；

【摘要】 <正>本文对低温生长的垂直场 MQWs 光折变器件电吸收瞬态特性进行了研究,在分析垂直场 MQWs 器件结构后,我们认为电光层并不单独由多量子阱层构成,而是包括多量子阱层和两边低温生长的缓冲层构成, 为此,我们提出了改进的阻容模型,并用这一模型很好地解释了 MQWs 光折交器件电吸收瞬态特性的实验结更多还原