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MOCVD技术生长的InN薄膜结构和光学性质
【作者】 谢自力； 张荣； 江若琏； 修向前； 刘斌； 赵红； 朱顺民； 韩平； 施毅； 顾书林； 郑有炓；
【机构】 南京大学物理系江苏省光电信息功能材料重点实验室；
【摘要】 高质量的 InN 材料的带隙宽度在0．7 eV,对应光谱波长位于红外区,这就使Ⅲ族氮化物 (InN、GaN、AlN)及其合金的带隙宽度对应的光谱覆盖了从红外到紫外范围。因此,InN 及其含 In 组分的合金(InGaN,InAIN)材料可以应用于高迁移率电子器件,红外激光器, 全光谱显示,高效率太阳能电池等。同时,InN 材料将在光纤通讯系统使用的激光器和光二极管上具有潜在的应用价值。
【基金】 国家重点基础研究发展规划973(2006CB6049);国家高技术研究发展规划(2006AA03A103，2006AA03A118，2006AA03A142);国家自然科学基金(6039072，60421003，60676057);教育部重大项目(10416);高等学校博士学科点专项科研基金(20050284004);江苏省自然科学基金项目(BK2005210)
- 【会议录名称】 第11届全国发光学学术会议论文摘要集
- 【会议名称】第11届全国发光学学术会议
- 【会议时间】2007-08
- 【会议地点】中国吉林长春
- 【分类号】O484;O472.3
- 【主办单位】中国物理学会发光分会、中国稀土学会发光专业委员会