并五苯基的有机薄膜晶体管特性的研究

【作者】 袁广才； 徐征； 赵谡玲； 张福俊； 黄金昭； 黄豪； 黄金英； 徐叙瑢；

【机构】 北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室；

【摘要】 本文研究了有机薄膜晶体管（OTFT）的特性,并通过掩膜的方法制备出以并五苯为有源层的顶栅极 OTFT 器件,并五苯有源层的厚度为150 nm,复合绝缘层的厚度为300 nm （SiO₂为100 nm,SiN_x 为200 nm）,器件的沟道宽度为1000μm,沟道的长度范围为20～40 μm。通过扫描电镜（SEM）和 X-ray 衍射（XRD）对单一 SO₂和复合的 SiO₂/SiN_x 衬底上生长并五苯的表面形貌进行表征,并得到在复合的 SiO₂/SiN_x 衬底上生长的并五苯薄膜是以岛状结构生长的,且呈多晶态存在,结晶取向明显。通过 keithley2410 Ⅰ-Ⅴ测量仪对 OTFT 器件的电学性质进行表征,器件的开关电流比 on/off 为10⁴,阈值电压 V_th为15 V,器件的场效应载流子迁移率μ_EF为0．5 cm^/V·s。更多还原