氮化镓材料的ICP刻饰损伤与回复研究

【作者】 于广辉； 王笑龙； 王新中； 林朝通； 曹明霞； 齐鸣； 李爱珍；

【机构】 信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所；

【摘要】 近年来,针对蓝绿波段激光器和探测器等应用,宽禁带氮化镓(GaN)基材料及器件活动了广泛的研究。由于GaN材料的化学性质稳定,因此在其器件工艺中多采用干法刻蚀来完成器件的制备。而干法刻饰过程对于材料甚至于器件性能的影响一直是人们关注的问题,如何消除干法刻蚀造成的损伤有待于进一步深入的研究。我们对于干法刻蚀造成的损伤进行了分析,并采用高温退火和等离子态处理结合的方法对于刻蚀损伤的回复进行了研究。更多还原