Si₆N₂团簇结构与性质的密度泛函理论研究

【作者】 张材荣； 陈玉红； 蒲忠胜； 王道斌； 元丽华； 许广济； 陈宏善；

【机构】 兰州理工大学理学院； 兰州理工大学有色金属合金及加工教育部重点实验室； 西北师范大学物理与电子工程学院；

【摘要】 用密度泛函理论（DFT）中的杂化密度泛函 B3LYP 方法,在6—31G（d）的水平上对 Si₆N₂团簇的可能结构进行了几何结构优化和电子结构计算,得到了16个可能的异构体,Si₆N₂团簇的最稳定结构是有4个 Si—N 键和4个 Si—Si 键的三维结构,自然键轨道方法分析成键性质的结果表明,Si-N 键中 Si 原子向 N 原子有较大的电荷转移,因此 Si—N 原子间有较强的电相互作用；最强的 IR 和 Raman 谱峰分别位于1359．14cm^-1和1366．29cm^-1处；并计算了 Si₆N₂团簇的最稳定结构的极化率和超极化率。更多还原