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半导体器件的中子辐射效应研究
【机构】 华南理工大学物理科学与技术学院；
【摘要】 中子辐射在器件制作工艺和抗辐射研究中占有重要的地位．本文介绍了半导体器件的中子辐射效应, 包括位移效应和电离效应,分析了国内外半导体器件中子辐射的研究状况,对国内中子辐射的研究进展提出了期望．
- 【会议录名称】 2007’第十二届全国可靠性物理学术讨论会论文集
- 【会议名称】2007’第十二届全国可靠性物理学术讨论会
- 【会议时间】2007-10
- 【会议地点】中国四川都江堰
- 【分类号】TN301
- 【主办单位】中国电子学会可靠性分会、中国电子学会电子元件分会、中国电子学会半导体与集成技术分会、中国电子学会电子材料分会、广东省电子学会