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MOS器件电离辐射总剂量退化的温度效应
【机构】 华南理工大学微电子研究所； 电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室；
【摘要】 MOS 器件辐射效应的一些基本物理过程,如电荷产生、空穴输运、俘获与退火以及界面陷阱增长与退火等,取决于辐照总剂量、辐照剂量率、偏置条件、环境温度、器件氧化层工艺条件等因素；本文对上述物理过程的机理进行了探讨,并着重分析了温度与两类电荷(氧化层陷阱电荷和界面陷阱电荷)的变化关系。
- 【会议录名称】 2007’第十二届全国可靠性物理学术讨论会论文集
- 【会议名称】2007’第十二届全国可靠性物理学术讨论会
- 【会议时间】2007-10
- 【会议地点】中国四川都江堰
- 【分类号】TN386.1
- 【主办单位】中国电子学会可靠性分会、中国电子学会电子元件分会、中国电子学会半导体与集成技术分会、中国电子学会电子材料分会、广东省电子学会