原位电子束诱导碲化锑（Sb₂Te₃）及硅掺杂的晶化

【作者】 孙明达； 韩晓东； 张晓娜； 张泽； 刘波； 宋志棠； 封松林；

【机构】 北京工业大学固体微结构与性能研究所； 中国科学院上海微系统与结构研究所；

【摘要】 <正>Sb₂Te₃是一种基础的功能材料,在掺杂基础上主要应用其温差电特性作为新型能源如太阳能和应用其固态相变特性作为随机存储器的关键材料。其中下一代基于 CMOS（complementary metal oxide semiconductor）技术的电脉冲致相变随机存储器需要在 GeTe-Sb₂Te₃体系的背景下寻找更合适的材料。电脉冲和高速运动的电子在材料中有近似的作用,更多还原