SIMOX上外延层的TEM研究

【作者】 倪如山； 朱文化； 林成鲁；

【机构】 中国科学院上海冶金研究所；

【摘要】 <正> 氧注入隔离（SIMOX:Separation by IMplanted OXygen）是绝缘层上形成单晶硅（SOI:Silicon onInsulator）结构的最有前途的技术。制备工艺简单,可获得绝缘层上高质量的单晶硅膜。由于SIMOX衬底与体材料硅相比有许多潜在的优点,如有较高的开关速度、较强的抗辐照能力和避免闭锁效应等,正受到人们越来越多的关注。SIMOX衬底上分子束外延生长GaAs或Si/Ge_0.5Si_0.5应变层超晶格薄膜,具有异质外延材料和SIMOX的全部优点。可把GaAs光电器件和硅集成电路集成在一块芯片上。SIMOX中氧化物埋层由氧离子注入单晶硅形成,注入能量为200kev,剂量为1.8×10^<sub>18/cm²。注入后试样在1300C干氮气氛中退火6小时,然后在SIMOX更多还原