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垂直磁化膜微畴结构的SEM观察

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【作者】 戴道文沈能方

【机构】 华中理工大学

【摘要】 <正> 随着微磁学的高密度磁存贮技术的迅速发展,人们迫切需要以更高的分辨率观察大块试样表面的微畴结构。通常使用的粉纹图法和磁光法等观察方法已不能满足要求。本文研究了用SEM观察垂直磁化膜微畴结构的方法和观察结果,获得了满意的效果。该法主要分两部分:1.在试样表面制作高质量的粉纹图;2.用高倍率二次电子象观察试样表面磁性粒子的分布,从而可显示出磁畴的精细结构和磁化方向。图1是YIG单品垂直磁化膜在退磁态的磁畴结构象。图中磁性粒子的聚集图案清楚地显示出该薄膜具有片状“迷宫畴”结构,畴宽约1.9μm,饱和磁化失量Ms垂直于膜面,+Ms和-Ms呈周期分布。图2是TbFeCo非晶垂直磁化膜退磁后的磁畴结构象。磁性粒子在畴壁表面漏磁场的作用下聚集在畴

  • 【会议录名称】 第五次全国电子显微学会议论文摘要集
  • 【会议名称】第五次全国电子显微学会议
  • 【会议时间】1988-10
  • 【会议地点】中国湖北武汉
  • 【分类号】O484
  • 【主办单位】中国电子显微镜学会
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