C₁₄LAVES相的层错与畴结构

【作者】 叶恒强； 王大能； 郭可信；

【机构】 中国科学院金属研究所；

【摘要】 <正> 本工作用高分辨电子显微术,研究了GH135合金中析出的C₁₄Laves相的层错及其有序排列产生的畴结构。该相六角点阵的参数a=0.47,c=0.78nm。象的模拟计算表明,当样品厚度为4nm左右,欠焦量为-40至-70nm时,高分辨象的一个白点对应于结构中的一五角形通道。这时象与结构是直接对应的。图1是Laves相[010]取向的低倍象,字母N、R处分别为（001）层错产生的MgNi₂和MgCu₂结构单元,倾斜和垂直的白箭头分别指示（101）和（100）两种非基面层错。图2左侧是（101）层错的高分辨象,右侧是相应的结构模型,层错区为一条μ相结构单元,C轴同Laves相的C轴成35°角。图3左侧是（100）层错的高倍象,右侧是根据象提出的结更多还原