新型PIN探测器的抗辐照性能研究

【作者】 彭海波； 王释伟； 丁大杰； 韩运成； 程锐； 王铁山； 张国光；

【机构】 兰州大学核科学与技术学院； 西北核技术所；

【摘要】 <正>PIN 半导体探测器是一种常用的带电粒子探测器。它是采用在半导体的 PN 结中进行锂离子补偿的方法在结中形成本征区(Ⅰ区),从而增大探测器的灵敏区。当粒子进入 PIN 探测器时,粒子能量将主要沉积在Ⅰ区,对 PN 结的损伤较小,因此 PIN 探测器的抗辐照性能将大大提高。探测器的抗辐照效应研究对辐射测量以及探测器的抗辐射加固有重要的指导意义。本工作研究了新型 PIN 探更多还原