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MeV Si离子辐照对单晶Si中He注入空腔生长的影响研究
【机构】 天津大学理学院应用物理系；
【摘要】 <正>高剂量的He离子注入单晶Si在随后的高温退火中可以产生空腔层。He注入空腔在现代Si技术中具有广阔的应用前景,如捕获有害的金属杂质、控制高功率器件中少数带电载流子的寿命、抑制掺杂原子的瞬间增强载流子寿命等。单晶Si中He注入空腔的形成明显地依赖于Si中间隙子、空位等缺陷的存在。本工作采用MeV能量级的Si离子作附加辐照,利用透射电子显微镜详细地研究了Si离子附加辐照产生的缺
- 【会议录名称】 第一届中国核技术及应用研究学术研讨会摘要文集
- 【会议名称】第一届中国核技术及应用研究学术研讨会
- 【会议时间】2006-09
- 【会议地点】中国上海
- 【分类号】O561
- 【主办单位】中国科学院上海应用物理研究所