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1．56MeV Sb~+注入单晶硅
【机构】 中国科学院上海原子核研究所； 中科院冶金所离子束开放实验室； 复旦大学物理二系；
【摘要】 <正>本工作研究了1．58 MeV Sb~+注入单晶硅的损伤及退火行为。为了比较,选 R_p 相同的185 KeV B~+和480 KeV P~+作了同样研究。注入剂量在3E13—1E16 ion／cm~2,退火温度为500—1050℃。文章采用了3MeV He RBS-C 对注入损伤及恢复行为作了剖面测量,用 XTEM 对部分样品作了损伤类型和分布研究；用扩展电阻法和四探针来监测
【基金】 中科院离子束开放实验室资助课题
- 【会议录名称】 第八届全国核物理会议文摘集（下册）
- 【会议名称】第八届全国核物理会议
- 【会议时间】1991-12
- 【会议地点】中国陕西西安
- 【分类号】O739
- 【主办单位】中国核物理学会