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Si〈111〉和(111)1Mev质子沟道效应研究

Channeling studies of lmev protons in silicon 〈111〉 axis and (111) plane.

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【Author】 Guo Huachong He Fuqing Peng Xiufeng Wang Minhua.(IStitute of Nucloa(?) Science and Technology, of Sichuan University)

【机构】四川大学原子核科学技术研究所；

【摘要】 <正>关于 Si 的沟道效应,国内外发表了很多文章,但缺少1Mev 质子 Si〈111〉的沟道实验数据,由于 Si〈111〉和（111）是不等晶格间距和不等晶面间距,使我们有兴趣来较深入地研究其沟道效应,文献①曾研究过金刚石型格点的〈111〉和〈110〉沟道。发现〈111〉和〈110〉的ψ_1/2比理论计算低约25%。文献②研究了 Si（111）的面阻塞,发现了两个分开的极小值。更多还原

【会议录名称】第五次核物理会议资料汇编（上册）

【会议名称】第五次核物理会议

【会议时间】1982-11
【会议地点】中国四川成都
【分类号】O641.1

【主办单位】中国核物理学会

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