【作者】 王晓双； 刘仁和；

【Author】 WANG Xiao-shuang, LIU Ren-he (The Institute of Electronic Engineering of CAEP. Mianyang 621900)

【机构】 中物院电子工程研究所；

【摘要】 近年来化合物半导体材料GaAs、InP等在光电子学领域的应用研究已经取得了很大进展。采用这些材料所研制的光导开关、光电导探测器具有体积小、性能可靠、制造工艺简单等优点。所研制的光导开关采用InP:Fe材料。介绍了这种光导开关的工作原理及其制作工艺,并且给出了实验结果。更多还原

【Abstract】 Recently compound semiconductor GaAs and InP have acquired a large development in the applications of optoelectronics. The photoconductor switch and detector have the advantage of small bulk. credibility and simple fabrication with this kind of material. We use the material of InP:Fe to fabricate the switch. This article shows the principle and fabrication of this switch , and gives the result of experiment.更多还原