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钼场致发射阵列阴极的性能研究
【作者】 冯进军； 丁明清； 张甫权； 李兴辉； 白国栋； 刘自； 彭自安； 廖复疆；
【机构】 北京真空电子技术研究所；
【摘要】 本文利用微细加工技术和薄膜沉积技术对钼场发射阵列阴极的工艺进行了较为细致的研究,在真空系统中对所得阵列阴极的发射性能进行了测试,得到了一定的场致发射电流密度值,对发射稳定性和失效机理进行了实验研究和分析,为进一步开展应用研究奠定了基础。
- 【会议录名称】 中国电子学会真空电子学分会第十三届学术年会论文集（下）
- 【会议名称】中国电子学会真空电子学分会第十三届学术年会
- 【会议时间】2001-08
- 【会议地点】中国贵州贵阳
- 【分类号】TN12
- 【主办单位】中国电子学会真空电子学分会、中国振华（集团）科技股份有限公司宇光分公司、北京真空电子技术研究所