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Eu掺杂AlN 薄膜的发光性质及其结构特征
【机构】 中国科学院物理研究所；
【摘要】 本文采用磁控反应溅射,制备了系列Eu掺杂的AlN膜。随着功率的增加和N2比例的减少,AlN:Eu膜从非晶向沿c轴定向生长晶态变化,结晶度及生长速度逐渐增加,氧杂质的含量逐渐降低。膜中结晶颗粒的大小及表面粗糙度随着功率的增加逐渐增加。光致发光谱中的发光峰由5D1,0向低的能级7FJ(J=0~4)跃迁所致。最强的发光峰位置在约619nm,为红色,归属于5D0→7F2的跃迁。
【基金】 国家自然基金项目的资助(批准号:50372082)
- 【会议录名称】 中国科协第二届优秀博士生学术年会材料科学技术分会论文集
- 【会议名称】中国科协第二届优秀博士生学术年会材料科学技术分会
- 【会议时间】2003
- 【分类号】TB383.2
- 【主办单位】中国材料研究学会