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有机场效应晶体管的制备与性能研究

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【作者】 刘云圻孙艳明肖恺付磊于贵胡文平朱道本

【机构】 中国科学院化学研究所

【摘要】 <正> 有机场效应晶体管(OFET)是通过调节栅极电压来控制源漏极之间电流大小的一种有源器件。近几年来,OFET 的研究工作取得了长足的进步,由于它具有很多独特的性能,因而越来越受到人们的重视。OFET 的优点为:制备工艺简单、成本低、重量轻和柔韧性好,可被用作智能卡、电子商标、存储器、电子纸、传感器和有源矩阵显示器,是有机光电子器件和电路的关键元器件。目前报道的以有

  • 【会议录名称】 2005年纳米和表面科学与技术全国会议论文摘要集
  • 【会议名称】2005年纳米和表面科学与技术全国会议
  • 【会议时间】2005-09
  • 【会议地点】中国北京
  • 【分类号】TN386
  • 【主办单位】中国真空学会纳米与表面科学专委会、中科院物理所纳米物理与器件实验室
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