【作者】 刘文平； 宋达； 李铁； 李昕欣； 王跃林；

【Author】 Liu Wenping Song Da Li Tie Li Xinxin Wang Yuelin Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 200050 Zhejiang University, Hangzhou, 310027

【机构】 中国科学院上海微系统与信息技术研究所； 浙江大学；

【摘要】 采用传统MEMS工艺,利用精巧的结构设计和准确的工艺控制,制作出一种新型的、在芯片上可集成的、直径可控的硅纳米线,对其形貌和电学特性进行了初步测试和讨论。纳米线的直径达到50nm以下,长度为3-15μm.两端固支,底部悬空。电学测试结果表明,硅材料的表面活性很高,由于比表面积的增大,硅纳米线的电学特性受表面态的影响非常大。新鲜表面的硅纳米线与暴露在空气中一定时间的纳米线的,I-V特性有着明显的不同。更多还原

【Abstract】 A novel diameter-controllable on -chip silicon nanowires was fabricated by traditional MEMS technology on a silicon -on -insulator (SOI) substrate. The aspect and electrical characteristics of the nanowire were studied and discussed. The I- V property of the nanowires implies that the fresh sample has different behavior to the same sample after 24 hours in the air, which indicates that the surface state of the wires is unstable in the air.更多还原