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一种低压高精度的CMOS带隙基准电压源
A Low-Power and High Precision Bandgap Voltage Reference with CMOS
【Author】 Gao Guoqing Feng Yongjian Xiamen University,Xiamen,361005
【机构】 厦门大学;
【摘要】 采用0.5μm CMOS工艺设计了一种高精度低压基准电压源。提出了一种结构比较新颖的基准电压源电路,该基准电压源电路具有较低的温度系数、较大的温度范围和较高的电源抑制比。此外,还增加了提高电源抑制比电路、启动电路,以保证电路工作点正常、性能优良,并使电路的静态功耗较小。Spice仿真结果表明:低频时电源抑制比可达70dB;在-40-120℃范围内,输出变化仅为0.004V,温度系数可达25×10-6V/℃;静态功耗小,在电源电压Vdd=3.3V时,总功耗约为0.025mW。
【Abstract】 A high precision bandgap voltage reference circuit with low -power supply was presented, which was compatible with 0. 5 CMOS technology. Results from SPICE simulation show that the circuit has a high power supply rejection ratio (PSRR ) of 70dB and an accuracy of 25×0-6V/℃ in the temperature coefficient range from - 40℃ to 120℃.
【关键词】 带隙;
电源抑制比;
温度系数;
基准电压源;
【Key words】 bandgap; PSRR; temperature coefficient; voltage reference;
【Key words】 bandgap; PSRR; temperature coefficient; voltage reference;
- 【会议录名称】 中国微米、纳米技术第七届学术会年会论文集(一)
- 【会议名称】中国微米、纳米技术第七届学术会年会
- 【会议时间】2005-08
- 【会议地点】中国大连
- 【分类号】TN432
- 【主办单位】中国机械工程学会