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快中子辐照直拉硅中的空位型缺陷研究

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【作者】 刘丽丽杨帅陈贵锋潘梦宵马巧云李养贤王宝义

【机构】 河北工业大学材料学院中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室

【摘要】 采用正电子湮没(PAT)技术和傅立叶红外变换(FTIR)技术研究了高剂量(5×1017n·cm-3)快中子辐照直拉硅中的辐照损伤及其退火效应。实验表明辐照样品中存在着大量的单空位缺陷以及少量的双空位、四空位缺陷,随着退火温度的升高,单空位型缺陷(VO)消失。PAT结果显示,在200-450℃退火时,单空位型缺陷急剧减少。由FTIR吸收谱可以看到,随着829 cm-1(VO)吸收峰的消失出现824 cm-1(V2O2)、834 cm-1(V3O2)、888 cm-1(VO2)和840cm-1(V2O)四个吸收峰。另外,在919.6 cm-1处也有缺陷复合体的吸收峰出现。多普勒展宽谱也说明450℃退火时缺陷开始明显减少,800℃退火时,缺陷浓度最低。

【基金】 国家自然科学基金重点项目(50032010);河北省自然科学基金重点项目(601047,E2005000048)
  • 【会议录名称】 第九届全国正电子谱学会议论文集
  • 【会议名称】第九届全国正电子谱学会议
  • 【会议时间】2005-04
  • 【会议地点】中国浙江绍兴
  • 【分类号】O474
  • 【主办单位】中国科学院核分析技术重点实验室、绍兴文理学院应用化学研究所
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