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NiO顶部和底部钉扎自旋阀的比较

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【作者】 孙亮任远杜军吴小山盛雯婷王雅新游彪鹿牧胡安

【机构】 南京大学固体微结构国家重点实验室

【摘要】 采用磁控溅射法制备了NiO顶部钉扎和底部钉扎的自旋阀。底部钉扎自旋阀的磁电阻值大约比顶部钉扎的要大30%,原因在于项部钉扎自旋阀的NiO/Co界面粗糙度要比底部钉扎的大。同时我们使用XRD对两种自旋阀的结构进行了比较,发现顶部钉扎自旋阀中NiO的晶面取向要比底部钉扎的好得多。

  • 【会议录名称】 第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议论文集
  • 【会议名称】第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议
  • 【会议时间】2004-05
  • 【会议地点】中国天津/承德
  • 【分类号】O484
  • 【主办单位】中国物理学会磁学分会、中国电子学会应用磁学分会
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