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不同离子束注入GaN改变光学、电学和磁学特性的研究
【机构】 北京大学物理学院技术物理系；
【摘要】 <正>GaN和由其衍生出的多种Ⅲ族氮化物都是直接跃迁型的宽带隙材料,禁带宽度可在1.9-6.2eV之间连续调节,能量范围覆盖了从可见光到紫外的波段,且发光效率高,是当前国内外半导体材料研究的重点。GaN基材料有非常广泛的应用前景。目前的研究主要集中在GaN基材料的制备和器件的研制上,现已成功地研制出蓝光及白光等发光二极管(LEDs),并在探索制备激光二极管和紫外探测器。由于应用上的需要经常会对GaN提出一些特殊的性能要求:如局域高阻,或n-p型的转化,及使其有光、电、磁诸多方面共融的优良特性等:一般的生长及掺杂手段对改性效果不明显,而离子束注入技术在上述方面的改性研究中则具有独特的优越性。
【基金】 国家科学自然基金项目,编号 10375004;中比双边科技合作项目,编号 BIL02/02
- 【会议录名称】 2004年中国材料研讨会论文摘要集
- 【会议名称】2004年中国材料研讨会
- 【会议时间】2004-11
- 【会议地点】中国北京
- 【分类号】TN304
- 【主办单位】中国材料研究学会