纳米线阵列在分立垂直磁记录中的应用

【作者】 袁俊； 朱静； 韦丹； 王晓工；

【机构】 清华大学材料科学与工程研究院；

【摘要】 <正>目前磁存储介质的比特密度每年以60%的速度增加,传统的水平磁记录介质(图1a)正面临着越来越大的挑战。随着记录面密度的提高(Hitachi的Ultrastar系列最大面密度已超过61Gbit/in2),相邻比特间的干扰变强,同时比特中按比例的磁颗粒的超顺磁效应也变的明显,即纳米晶粒中的磁化矢量将受到常温下热能起伏的影响而不能稳定的保持存储的信息。垂直磁记录介质(图1b)通过改变比特单元磁化方向、增加介质厚度,有助于提高室温下安全磁记录的面密度,是下一代磁记录介质的发展方向。垂直分立的磁记录介质(图1c)还有利于减小比特间相互作用,有助于提高存储密度。更多还原