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Si衬底上带有AIN插入层的GaN薄膜的结构及应变研究

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【作者】 侯利娜； 姚淑德； 周生强； 赵强；

【机构】 北京大学物理学院技术物理系； Instituut Voor Kern-en Stralingsfysica,Katholieke Universiteit Leuven,B-3001 Leuven.Belgium；

【摘要】 <正>通常GaN、InGaN和AlGaN外延膜是用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底上生长的,近来在Si(111)上生长GaN越来越受到人们的重视。高质量大尺寸硅片容易生成并且价格便宜,更重要一点是,在硅衬底上成功生长GaN可以实现光电集成。但是GaN和Si品格常数和热膨胀系数相差很大,生长过程和生长完的降温过程中,在GaN外延膜中都会产生很大的张应力.当膜比较厚时,应力达到饱和,就会产生裂纹。用插入低温(LT)AlN层的方法减少了Si衬底上厚GaN外延膜的张应力和裂纹的方法已经取得了很好的效果。

【关键词】 GaN； 高分辨X射线衍射； 背散射/沟道；
【基金】 国家科学自然基金项目:项目编号为10375004;中比双边科技合作项目:项目编号为BIL02/02
  • 【会议录名称】 2004年中国材料研讨会论文摘要集
  • 【会议名称】2004年中国材料研讨会
  • 【会议时间】2004-11
  • 【会议地点】中国北京
  • 【分类号】TB383
  • 【主办单位】中国材料研究学会
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