一种SOI基平面侧栅单电子晶体管的制作方法

【作者】 龙世兵； 李志刚； 王丛舜； 谢长青； 张立辉； 易里成荣； 陈宝钦； 赵新为； 刘明；

【机构】 中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术重点实验室；

【摘要】 <正> 单电子晶体管(SET)是一种基于库仑阻塞效应和量子隧穿效应的新型纳米电子器件,只需对一个或少数几个电子进行操作就可以工作。本文采用电子束光刻、感应耦合等离子体刻蚀等硅工艺技术在SIMOX衬底上制作了一种平面侧栅硅基单电子晶体管,并测量了其电输运特性。更多还原