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3英寸YBCO/CeO2/Al2O3双面超导外延薄膜的制备研究

Preparation of ■3” large-area double-sided YBCO thin film on CeO2 buffered r-plane sapphire

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【作者】 熊杰陶伯万谢廷明陈家俊刘兴钊张鹰李言荣

【Author】 XIONG Jie, TAO Be-wan, XIE Ting-ming, CHEN Jia-jun, LIU Xing-zhou, ZHANG Ying, LI Yan-rong(School of Micro-Electronics and Solid-State Electronic, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China)

【机构】 电子科技大学微电子与固体电子学院

【摘要】 采用自制的大面积四靶溅射设备,并结合基片的调速双轴旋转,成功研制出3英寸双面CeO2薄膜及YBa2Cu3O7-σ(YBCO)薄膜。通过对所制备薄膜的微观结构、表面形貌以及电性能的分析测试,得到的CeO2薄膜与YBCO薄膜具有良好的c轴外延取向,CeO2薄膜的(002)峰与YBCO薄膜的(005)峰FWHM均小于1°。薄膜厚度均匀性良好,厚度起伏在±5%以内。YBCO薄膜Tc分布在88.5-90K,△Tc<1K,Jc>×106A/cm2,R(10GHz,77K)两面分别为0.53mΩ和0.56mΩ,能较好地满足微波器件研制中的需要。

【Abstract】 In this paper, we report the deposition of double-sided CeO2 and YBCO epitaxial thin films on (1102) sapphire. With a four targets sputtering system, CeO2 and YBCO thin films were in-situ deposited in one run. With a modulated biaxial substrate rotation, homogeneous 3 inch thin films had been obtained. The CeO2 and YBCO films are (001) oriented. FWHMs of CeO2 (002) and YBCO(005) were less than 1° .The typical properties of YBCO thin films are as following: Tc ranging from 88.5K to 90K, △Tcless than IK; Jc(77K) being more than 1×106A/cm2, Rs (10GHz, 77K) being 0.53Ω and 0.56 mΩ for both sides, respectively. The thickness deviation of the YBCO thin films was less than ±5%, which well meets the microwave device application.

  • 【会议录名称】 第五届中国功能材料及其应用学术会议论文集Ⅲ
  • 【会议名称】第五届中国功能材料及其应用学术会议
  • 【会议时间】2004-09
  • 【会议地点】中国北京·秦皇岛
  • 【分类号】TB383
  • 【主办单位】国家仪表功能材料工程技术研究中心、国家“863”计划新材料领域专家委员会、中国仪器仪表学会仪表材料学会、中国金属学会、中国稀土学会、中国复合材料学会、中国有色金属学会、重庆仪表材料研究所、北京有色金属研究总院、包头稀土研究院、钢铁研究总院、北京工业大学、燕山大学、山东大学、云南大学、上海交通大学、华中科技大学、天津大学、四川大学、湖南大学、大连理工大学、南京大学、清华大学、西南师范大学、北京科技大学、北京大学、厦门大学、中南大学、电子科技大学、重庆大学、福州大学、吉林大学、哈尔滨工业大学、武汉大学、西安理工大学、北京交通大学、西北工业大学、苏州大学、东北大学、复旦大学、武汉理工大学、浙江大学、北京理工大学、北京航空航天大学、中国科技大学、西南交通大学、南开大学、《功能材料与器件学报》编辑部、《功能材料》编辑部
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