Cu（In,Ga）₃Se₅薄膜的结构及其缺陷研究

【作者】 徐传明； 许小亮； 谢家纯； 徐军； 杨晓杰； 冯叶； 黄文浩； 刘洪图；

【机构】 中国科学技术大学精密机械与精密仪器系； 中国科学院中国科学技术大学结构分析重点实验室； 中国科学技术大学物理系；

【摘要】 <正> 黄铜矿结构Cu（In,Ga）Se₂薄膜半导体材料由于较高的可见光吸收系数、稳定性能和禁带宽度接近理想带隙等诸多优点,已成为高效率光伏器件的候选材料之一。然而薄膜表层存在的类黄铜矿结构β-Cu（InGa）₃Se₅有序缺陷他合物相,将直接影响着Cu（In,Ga）Se₂薄膜光伏器件的最终性能。目前对于Cu（In,Ga）₃Se₅的结构以及形成机理的研究,仍是热点之一。本文通过新颖的两步生长工艺:（1）在Se氛围下,通过改变元素Ga的元素化学比,利用电子束周期顺序蒸发金属更多还原