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PECVD法制备宽带隙半导体SiC薄膜的研究
【机构】 浙江大学材料系硅材料国家重点实验室；
【摘要】 <正> SiC半导体材料是自第一代元素半导体材料（Si）和第二代化合物半导体材料（GaAs、GaP、InP等）之后发展起来的第三代宽带隙（WBS）半导体材料,因其具有宽禁带、高临界电场、大的电子饱和漂移速度以及高热导率等等各种优异的性能,越来越引起人们广泛的研究。本实验以高氢稀释的SiH4和CH4气体为沉积薄膜的原料,以经过抛光处理
- 【会议录名称】 TFC’03全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集
- 【会议名称】TFC’03全国薄膜技术学术研讨会
- 【会议时间】2003-09
- 【会议地点】中国浙江宁波
- 【分类号】TB43
- 【主办单位】中国真空学会薄膜专业委员会、宁波市科技局、宁波市科技园、浙江大学、清华大学、北京北仪创新真空技术有限责任公司