【作者】 刘华瑞； 任天令； 刘理天； 库万军；

【Author】 Liu Huarui Ren Tianling Liu Lilian Ku Wanjun(Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing 100084, China)(Huaxia Mag. Elec.Corp. , Shenzhen 518004, China)

【机构】 清华大学微电子所； 深圳华夏磁电子公司；

【摘要】 在玻璃和硅衬底上利用高真空直流磁控溅射的方法淀积了结构为Ta/NiFe/CoFe/Cu/CoFe/IrMn/Ta的IrMn顶钉扎自旋阀薄膜。分别研究了增加磁电阻率,降低矫顽力和提高交换场的方法。经过结构的改善和工艺条件的优化后,使自旋阀的磁电阻率达到9.12%,矫顽力为1.04×(10~3/4π)A/m。通过2min的RIE使矫顽力减小33%,而磁电阻率几乎不受影响。利用CoFe/Cu/CoFe SAF结构使交换场从180×(10~3/4π)A/m上升到600×(10~3/4π)A/m左右。这种高性能的自旋阀适用于具有广泛前景的GMR传感器。更多还原

【Abstract】 IrMn top spin valves,with a structure of Ta/NiFe/CoFe/Cu/CoFe/IrMn/Ta,were deposited on glass and silicon substrate by high vacuum DC magnetron sputtering. The spin valves have a MR of 9.12% and a coer-civity of 1. 04×(103/4π)A/m after the optimizing of the structure parameters and the fabrication conditions. The exchange bias field was enhanced from 180×(103/4π)A/m to about 600×(103/4π)A/m utilizing SAF structure (CoFe/Cu/CoFe). The coercivity was reduced 33% using a 2 minutes RIE process,which had a negligible effect on the MR.更多还原