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CdZnTe晶体的陷阱能级分析

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【作者】 韦永林； 朱世富； 赵北君； 王瑞林； 高德友； 魏昭荣； 李含冬；

【机构】 四川大学材料科学系；

【摘要】 <正>利用Boguslavskii和Vannikov的低电场非注入电极下半导体的暗电导与热激活能关系式σ=σ0exp（-Ea/kT）;Ea为激活能,与热生成载流子的激发能有关,它对应于本征电导的能带带隙Eg或对应于P型非本征电导的受主能级与价带边之间的距离。也即Ea对应于陷阱深度Et-Et,Et为俘获能级,而这意味着俘获载流子的热释放支配着电导。对于抛物线的半导体能带结构,电流与温度的关系为I=I0T3/2exp（-Ea/kT）。通过测试富Cd原料无籽晶垂直布里奇曼法生长出的高阻CdZnTe（CZT）单晶体的I-T特性曲线（加10V的偏压）,利用热激活能原理来分析单晶体内的缺陷,结果得到晶体中有一个由Cd空位引起

【基金】 国家自然科学基金(60276030);教育部博士基金
  • 【会议录名称】 中国硅酸盐学会2003年学术年会论文摘要集
  • 【会议名称】中国硅酸盐学会2003年学术年会
  • 【会议时间】2003
  • 【会议地点】中国北京
  • 【分类号】O74
  • 【主办单位】中国硅酸盐学会（The Chinese Ceramic Society）
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