6H-SiC单晶的生长与缺陷

【作者】 胡小波； 徐现刚； 王继扬； 蒋民华； 韩荣江； 董捷； 李现祥；

【机构】 山东大学晶体材料国家重点实验室；

【摘要】 <正>SiC是一种重要的半导体材料,它具有优良的热学、力学、化学和电学性质,可以用作蓝光LED衬底材料,同时又是制作高温、高频、大功率电子器件的最佳材料之一。过去10年来,各国的晶体生长科学家都在朝生长大尺寸、高质量SiC单晶方向努力。至最近几年,SiC单晶中结构缺陷的密度在逐年减少。尽管如此,要完全消除SiC单晶中的结构缺陷还有较长的路要走。影响SiC广泛使用的典型缺陷是微管,它是一种空心管,尺寸在微米量级。微管一旦产生,可以在晶体内沿c更多还原