γ-LiAlO₂/α-Al₂O₃复合衬底上GaN的生长

【作者】 彭观良； 徐军； 邓佩珍； 周国清； 周圣明； 干福熹；

【机构】 中国科学院上海光学精密机械研究所；

【摘要】 <正>GaN及其合金具宽的带隙、高的热导和强的化学键,在蓝、绿光发光二极管（LED）和激光二极管（LD）以及高温电子器件等方面具有广泛的应用前景,受到人们极大的关注。GaN熔点比较高,N₂饱和蒸汽压强较大,GaN体单晶制备十分困难,因此GaN的外延生长主要在异质衬底上进行。目前,广泛使用的是蓝宝石（α-Al₂O₃）,它与GaN的晶格失配高达13.8%,热匹配性能也不好,导致GaN外延层中产生较高的位错密度和大量的点缺陷。近来,铝酸锂（γ-LiAlO₂）作为GaN的外延衬底获得了广泛的研究,它与GaN外延层的晶格失配度相当小,只有1.4%,但美中不足在于LiAlO₂熔体高温下易更多还原