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SiC MPS的分析设计和研制
【机构】 西安电子科技大学微电子所；
【摘要】 本文介绍了具有肖特基正向特性和PN结反向特性的新型整流器-混合PiN/Schottky二极管(MPS)。理论分析了该器件的正向导通、反向阻断和击穿特性.以4H SiC材料为例模拟和优化设计了器件的外延层掺杂浓度和厚度、肖特基接触和PN结网格宽度、PN结深度和掺杂浓度等主要的结构参数。成功的制作了以Ni做肖特基金属,拥有JTE终端的4H-SiCMPS二极管,器件的击穿电压在600V-700V之间,约为平行平板结理论值的70%,反向漏电流在-600V时小于10-6 A/cm2,而正向电流密度在3.5V时达1000A/cm2。
- 【会议录名称】 中国电工技术学会电力电子学会第八届学术年会论文集
- 【会议名称】中国电工技术学会电力电子学会第八届学术年会
- 【会议时间】2002-11
- 【会议地点】中国深圳
- 【分类号】TN31
- 【主办单位】中国电工技术学会电力电子学会