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碳化硅功率器件
【机构】 西安电子科技大学微电子所；
【摘要】 <正> 1 引言目前几乎所以的功率系统中都采用硅器件,毫无疑问成熟的硅工艺技术是硅器件的最大的优势。然而硅器件的功率性能将不会有太大的提高,这是因为硅器件的电特性已接近材料物理特性的极限。首先,硅低的击穿电场意味着在高压工作时需要采用厚的轻掺杂层,这将引起较大的串联电阻,特别时对单极器件尤其如此。为了减少正向压降,电流密度必须保持在很低的值,因此硅器件的大电流是通过增加硅片面积来
- 【会议录名称】 中国电工技术学会电力电子学会第八届学术年会论文集
- 【会议名称】中国电工技术学会电力电子学会第八届学术年会
- 【会议时间】2002-11
- 【会议地点】中国深圳
- 【分类号】TN303
- 【主办单位】中国电工技术学会电力电子学会