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1.55μm InGaAs/InGaAsP应变补偿量子阱激光器的温度依赖特性
【机构】 吉林大学电子工程系集成光电子学国家重点联合实验室；
【摘要】 本文在零净应变条件下对1.55μm InGaAs/InGaAsP应变补偿量子阱激光器的温度依赖特性进行了分析.计算结果表明,在一定的温度下为了实现激光器1.55μm波长的激射,量子阱宽、腔长、阈值载流子浓度和阈值电流密度之间必须满足一定的关系,即阱宽增大时,腔长必须减小,阈值载流子浓度和阈值电流密度随之增大.温度升高时,阈值载流子浓度和阈值电流密度随之升高.腔长增大时,激光器的特征温度随之增高,从而温度依赖特性变得更好.
【基金】 本工作由国家自然科学基金资助(批准号69876016)
- 【会议录名称】 全国第十次光纤通信暨第十一届集成光学学术会议（OFCIO’2001）论文集
- 【会议名称】全国第十次光纤通信暨第十一届集成光学学术会议（OFCIO’2001）
- 【会议时间】2001-10
- 【会议地点】中国上海
- 【分类号】TN248
- 【主办单位】中国电子学会通信学分会、中国通信学会光通信专业委员会、中国光学学会纤维光学与集成光学专业委员会