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低阻SnO2薄膜的制备及其性质研究
Preparation of low Resistance SnO2 Thin Film and Study on its Properties
【作者】 李爱武; 陈丽华; 白旭东; 吴连海; 王修中; 贾秀利; 全宝富;
【Author】 LI Ai-wu;CHEHG Li-hua;BAI Xu-dong;WU Lian-hai;WANG Xiu-zhong;JIA Xiu-li;QUAN Bao-fu Department of electronic Engineering Department of Physics, Jilin University Changchun, 130023, China Jilin Huaxing electronic group company, Jilin, 132011, China Jilin College of Grain Technology Changchun, 130023, China
【机构】 吉林大学电子工程系; 吉林大学物理系; 吉林华星电子集团公司; 吉林粮食高等专科学校;
【摘要】 采用Sol-Gel法制备了SnO2薄膜.研究了掺杂含量、气氛处理、烧结时间、Cl-等实验条件对SnO2薄膜电阻的影响,分析了影响的机理,并利用这种低阻SnO2薄膜制作成热线型气敏元件,发现它对H2S气体具有较好的气敏特性,表现出良好的选择性,同时具有较好的响应.恢复特性.
【Abstract】 The SnO2 thin film of low resistant was prepared by Sol-Gel Method. The relation between the preparedcondition (such as the content of Sb, the sintering atmosphere, sintering time and Cl-) and the resistance of the thin filmhas been studied. The heat-wire gas sensor prepared with SnO2 thin film is sensitive for H2S gas. It also showed goodquality of response and recovery besides excellent selectivity.
- 【会议录名称】 第四届中国功能材料及其应用学术会议论文集
- 【会议名称】第四届中国功能材料及其应用学术会议
- 【会议时间】2001-10
- 【会议地点】中国厦门
- 【分类号】TB383
- 【主办单位】中国仪器仪表学会仪表材料分会