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国家同步辐射实验室在半导体表面界面方面的研究进展

Research Progress on Semiconductor Surface/Interface in the National Synchrotron Radiation Laboratory (NSRL)

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【作者】 徐彭寿陆尔东张发培徐世红张新夷赵特季方容川金晓峰

【Author】 P. S. Xu, E. D. Lu, F. P. Zhang, S. H. Xu, X. Y. Zhang( NSRL, Chinese University of Science and Technology, Hefei)T. J. Zhao, R. C. Fang ( Chinese University of Science and Technology, Hefei)X. F. Jin ( Fudan University, Shanghai)

【机构】 中国科学技术大学国家同步辐射实验室中国科学技术大学复旦大学

【摘要】 本文综述了国家同步辐射实验室在半导体表面和界面的同步辐射光电子能谱研究,其中包括碱金属在半导体表面的吸附及其对半导体表面氧化和氮化的催化作用;稀土金属在半导体表面的吸附及其界面形成;Ⅲ-Ⅴ族半导体表面的钝化及其与金属界面研究;半导体表面的磁性超薄膜研究;与Ⅱ-Ⅵ半导体有关的异质结能带排列等。

【Abstract】 In this paper, the research of semiconductor surfaces and interfaces by photoelectron spectroscopy with synchrotron radiation in NSRL was reviewed, including the adsorption of alkaline metals on the semiconductor surfaces and their role on catalysis of oxidation and nitration; the rare-earth metals absorbed on the semiconductor surfaces and formation of interfaces; passivation of Ⅲ-Ⅴ semiconductor surfaces and their interfaces with metals; ultrathin magnetic films on the semiconductor surfaces, etc.

  • 【会议录名称】 中国真空学会科技进步奖(1994-2000)得奖人员论文集
  • 【会议时间】2000
  • 【分类号】TN301
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