【作者】 丁正明； 周之斌； 崔容强； 胡宏勋； 孙铁囤； 贺振宏；
【机构】 上海交通大学；
【摘要】 本文介绍了离子束溅射,石墨靶,沉积掺氮碳薄膜的设备及工艺。对薄膜沉积过程作了讨论,采用 XPS技术对薄膜成份、原子间和掺杂原子的键以及结合能作了研究,在( 111)单晶硅片上沉积掺氮碳薄膜,构成C/Si异质结,在100mw/cm~2光照下,开路电压达200mv。更多还原
