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Al金属诱导氢化非晶硅(a-Si:H)晶化的研究
【作者】 王瑞春； 沈鸽； 袁骏； 张溪文； 赵高凌； 翁文剑； 韩高荣； 杜丕一；
【机构】 浙江大学硅材料国家重点实验室；
【摘要】 采用PVD与阿PECVD方法在经特殊设计的单反应室内制取了Al/α-Si:H双层复合薄膜,并利用XRD和XPS对薄膜在不同温度退火后对其晶化行为进行了研究。结果表明,由于金属Al的诱导作用使α-Si:H在不高于250℃下开始晶化。
【基金】 国家自然科学基金(69776004与69890230);教育部重点基础研究基金
- 【会议录名称】 2000年材料科学与工程新进展（下）——2000年中国材料研讨会论文集
- 【会议名称】2000年中国材料研讨会
- 【会议时间】2000
- 【分类号】TN304
- 【主办单位】中国材料研究学会