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快速热退火对带有InGaAs盖层的InAs/GaAs量子点发光特性的影响
【作者】 魏永强； 刘会云； 徐波； 丁鼎； 梁基本； 王占国；
【机构】 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室；
【摘要】 我们系统地研究了快速热退火对带有3nm InxGa1-xAs（x=0,0.1,0.2）盖层的3nm高的InAs/GaAs量子点发光特性的影响。随着退火温度从650℃上升到850℃,量子点发光峰位的蓝移趋势是相似的。但是,量子点发光峰的半高宽随退火温度的变化趋势明显依赖于InGaAs盖层的组分。我们的实验结果表明In-Ca在界面的横向扩散在量子点退火过程中起了重要的作用。另外,我们在较高的退火温度观测到了InGaAs的发光峰。
【关键词】 InAs/GaAs量子点；
InGaAs盖层；
快速热退火；
【基金】 国家自然科学基金(批准号:No.69736010)。
- 【会议录名称】 2000年材料科学与工程新进展（下）——2000年中国材料研讨会论文集
- 【会议名称】2000年中国材料研讨会
- 【会议时间】2000
- 【分类号】TN304
- 【主办单位】中国材料研究学会