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磁控溅射TiB2和Ti-B-N系超硬涂层的残余应力研究

Residual Stress in Magnetron Sputtered TiB2 and Ti-B-N Ultrahard Thin Films

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【作者】 张同俊； 安兵； 王辉； 崔崑；

【Author】 Zhang Tongjun An Bing Wang Hui Cui Kun (Key State Lab of Die & Mould Tech., MUST)

【机构】 华中科技大学模具技术国家重点实验室；

【摘要】 采用离子镀直流磁控溅射技术,在Si基体上制备了TiB2和Ti-B-N系超硬薄膜涂层,并采用基体曲率法测量薄膜的残余应力。研究表明,薄膜的残余应力受基体偏压、沉积气体总压和氮气分压等沉积过程参数的影响,薄膜层具有约1GPa的残余压应力。

【Abstract】 TiB2 and Ti-B-N ultrahard thin films on Si substrates were prepared by ionized de-magnetron sputtering. It is demonstrated that residual film stress is effected by several of the sputtering process parameters, such as substrate bias, total pressure and nitrogen partial pressure. About 1GPa compressive stress determined by a wafer curvature technique was presented in the films.

【关键词】 TiB2； Ti-B-N； 超硬膜； 磁控溅射； 残余应力； 基体曲率法；
【Key words】 TiB2； Ti-B-N； ultrahard film； magnetron sputtering； residual stress； wafer curvature technique；
【基金】 国家自然科学基金(59971021);湖北省自然科学基金(97J028)。
  • 【会议录名称】 2000年材料科学与工程新进展（上）——2000年中国材料研讨会论文集
  • 【会议名称】2000年中国材料研讨会
  • 【会议时间】2000
  • 【分类号】TG174.4
  • 【主办单位】中国材料研究学会
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