【作者】 黄海苟； 孙建军； 陈意安； 蒋利民； 夏善红； 刘品宽； 孙立宁； 田昭武； 田中群；

【Author】 Huang Hai-Gou , Sun Jian-Jun , Chen Yi-An, Jiang Li-Min , Xia Shan-Hong, Liu Pin-Kuan,Sun Li-Ning, Tian Zhao-Wu, Tian Zhong-QunState Key Lab for Phys.Chem.of the Solid Surf., Dept.of Chem.,Xiamen Univ., Xiamen 361005Inst. of Electronics, Chinese Academy of Science, State Key Lab of Transducer Technology, Beijing, 100080Robot Research Institute, Harbin Institute of Technology, Harbin, 150001

【机构】 厦门大学固体表面物理化学国家重点实验室化学系； 中国科学院北京电子研究所； 哈尔滨工业大学机器人研究所；

【摘要】 以“金字塔”状的锥体阵列作为电化学模板,利用约束刻蚀剂层技术对半导体GaAs进行加工刻蚀。成功地复制出微孔阵列,并且其排列周期与模板的微锥阵列的排列周期吻合的很好。更多还原

【Abstract】 Electrochemical etching of single crystal GaAs (111) was performed with pyramid-like microstructure arrays by confined etchant layer technique (CELT). The peroid parameters of the etched microhole arrays are very agreement with that of mold with micro-cone arrays. The etched microhole arrays has potential application in fabricating microsystem devices.更多还原